GaNコンソーシアム第二回研究会

　　　「結晶の革新が生み出すSociety 5.0へのインパクト
　　　　　　　― 完全結晶はデバイスをどう変えていくか ―」

　GaN研究コンソーシアムは、産学官の各会員機関が組織の壁を越え共創するオープンイノベーションの場を構築し、我が国の持続的発展と各機関の成長に貢献することを理念としています。
　第２回研究会では、会員様からの要望が強かった、結晶の改善がデバイス特性に与える影響について議論できる機会を設けます。まずは、昨今の結晶成長技術・欠陥に対する理解の進捗について、研究の最前線の方からご紹介をいただきます。
　次いで、一歩先に実用化フェーズに入っているＳｉＣの事例から、ＧａＮデバイスの実用化過程でも直面するであろう課題と克服方向について抽出します。ＧａＮの研究開発例を紹介いただいた後、パネルディスカッションの中で結晶の改善がデバイス特性をどこまで改善できるかついて議論いたします。
　みなさまの積極的なご参加をお待ちしております。
 

◇開催日時　2017年7月7日（金）１３：００～１７：２０
◇開催場所　国立大学法人 名古屋大学　ＥＳ総合館１階ＥＳ会議室  (MAP)

◇定員　　　70名
◇募集期間　2017年6月30日まで　（応募者が定員に達した段階で募集を締め切ります）
◇参加費用　[GaN研究コンソーシアムの会員の機関]　無料
　　　　　　[GaN研究コンソーシアムの会員でない機関]　１万円／人

　研究会終了後、研究会の会場隣りにて懇親会を開催いたします。ぜひ、こちらもご参加ください。
　 ◆懇親会参加費　3,000円
　 ◆懇親会会場　　 研究会の会場隣り 「シェ ジロー」 (http://chezjiroud.jp/)
 

お申し込みの際は、
　①参加者氏名
　②所属機関
　③職業(学生または役職)
　④年齢
　⑤連絡先(電話番号とメールアドレス)
　⑥懇親会への出欠
を明記の上、GaN研究コンソーシアム事務局　gan-con@aip.nagoya-u.ac.jp　まで、ご連絡願います。

GaN研究コンソーシアム第二回研究会詳細・プログラム