ニュース&イベント情報
【会員限定】7月28日開催電子デバイスWG研究会（結晶・評価WG共催）のご案内（会員 WGメンバーのみ）（終了）
- お知らせ
- 2026/06/26
「GaNコンソーシアム 電子デバイスWG研究会（結晶・評価WG共催）の開催について」
一般社団法人GaNコンソーシアム電子デバイスWGの主査をしております星 真一と申します。
このたび、電子デバイスWGでは、結晶・評価WG（主査：三重大学 新田州吾教授）との共催
により、「異種接合基板のGaN電子デバイス」をテーマに、以下のとおり研究会を開催すること
になりましたので、ご案内いたします。
本研究会は、電子デバイスWGおよび結晶・評価WGメンバーの方だけでなく、メンバーが所属
する機関内の皆様（学生も含む）もご参加いただけます。
つきましては、お忙しい中恐縮ですが、本開催案内を関係者の皆様へご展開いただけますよう
お願い申し上げます。
記
◆テーマ： 異種接合基板のGaN電子デバイス
◆開催日時：2026年７月28日（火）13：00～17：00
◆対象者：GaNコンソーシアム 電子デバイスWG、結晶・評価WGメンバー
およびメンバーが所属する機関内の皆様（学生も含む）
◆開催形態：対面形式＋Zoomのハイブリッド
◆会場：名古屋大学共同館II３Fホール
現地参加される方は、名古屋大学 研究所共同館Ⅱ３Fホールまでお越しください。
◆参加登録締め切り日：2026年７月21日(火)
◆参加費：無料
◆プログラム（講演者敬称略）ー ご講演60分、質疑5分を予定しています
13:00-13:05 WG研究会の開催趣旨（電子デバイスWG主査）
1）13:05-14:10 Qromis社CTO Vladimir Odnoblyudov
「Full-spectrum, high-performance commercial GaN power on 300 mm-scalable QST® substrates」
2）14:10-15:15 大阪公立大学 教授 重川直輝
「GaN-on-Diamond by Wafer Bonding」
15:15-15:25 休憩（10分）
3）15:25-16:30 国立研究開発法人物質・材料研究機構 主幹研究員/ 東京大学 特定客員教授 重藤 暁津
「高機能界面創製のための低温大気圧異材接合：GaN-Siなど」
16:40-17:00 C-TEFsのCR説明・見学（現地参加 希望者のみ）
16:40-17:00 懇親会(現地参加 希望者のみ)
※Vladimir Odnoblyudov 様（Qromis社 CTO）は米国よりZoomにて、重川直輝様、重藤 暁津様は
現地会場にてご講演いただきます。
※注記
・本研究会は秘密保持義務（守秘義務）がございます。
・ご登録にあたっては秘密保持に関する同意が必要となります。
【問い合わせ先】（一社）GaNコンソーシアム事務局
E-MAIL: info@gan-conso.jp
（電話 050-3625-7503 ）
担当：坪井、片桐、佐々木
一般社団法人GaNコンソーシアム電子デバイスWGの主査をしております星 真一と申します。
このたび、電子デバイスWGでは、結晶・評価WG（主査：三重大学 新田州吾教授）との共催
により、「異種接合基板のGaN電子デバイス」をテーマに、以下のとおり研究会を開催すること
になりましたので、ご案内いたします。
本研究会は、電子デバイスWGおよび結晶・評価WGメンバーの方だけでなく、メンバーが所属
する機関内の皆様（学生も含む）もご参加いただけます。
つきましては、お忙しい中恐縮ですが、本開催案内を関係者の皆様へご展開いただけますよう
お願い申し上げます。
記
◆テーマ： 異種接合基板のGaN電子デバイス
◆開催日時：2026年７月28日（火）13：00～17：00
◆対象者：GaNコンソーシアム 電子デバイスWG、結晶・評価WGメンバー
およびメンバーが所属する機関内の皆様（学生も含む）
◆開催形態：対面形式＋Zoomのハイブリッド
◆会場：名古屋大学共同館II３Fホール
現地参加される方は、名古屋大学 研究所共同館Ⅱ３Fホールまでお越しください。
◆参加登録締め切り日：2026年７月21日(火)
◆参加費：無料
◆プログラム（講演者敬称略）ー ご講演60分、質疑5分を予定しています
13:00-13:05 WG研究会の開催趣旨（電子デバイスWG主査）
1）13:05-14:10 Qromis社CTO Vladimir Odnoblyudov
「Full-spectrum, high-performance commercial GaN power on 300 mm-scalable QST® substrates」
2）14:10-15:15 大阪公立大学 教授 重川直輝
「GaN-on-Diamond by Wafer Bonding」
15:15-15:25 休憩（10分）
3）15:25-16:30 国立研究開発法人物質・材料研究機構 主幹研究員/ 東京大学 特定客員教授 重藤 暁津
「高機能界面創製のための低温大気圧異材接合：GaN-Siなど」
16:40-17:00 C-TEFsのCR説明・見学（現地参加 希望者のみ）
16:40-17:00 懇親会(現地参加 希望者のみ)
※Vladimir Odnoblyudov 様（Qromis社 CTO）は米国よりZoomにて、重川直輝様、重藤 暁津様は
現地会場にてご講演いただきます。
※注記
・本研究会は秘密保持義務（守秘義務）がございます。
・ご登録にあたっては秘密保持に関する同意が必要となります。
【問い合わせ先】（一社）GaNコンソーシアム事務局
E-MAIL: info@gan-conso.jp
（電話 050-3625-7503 ）
担当：坪井、片桐、佐々木