GaNコンソーシアム

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【会員限定】2月25日開催　結晶・評価WG研究会（会員　WGメンバーのみ）（終了）

  • お知らせ
  • 2026/01/16
「GaNコンソーシアム 結晶・評価WG研究会の開催について」

一般社団法人GaNコンソーシアム　結晶・評価WGの主査をしております新田　州吾と申します。
結晶・評価WGでは、GaNバルク結晶成長、ウエハ加工技術、エピタキシャル成長技術、
プロセス技術、評価技術の最新情報を共有しています。
2025年度の第2回研究会では、放射光等を用いた先端結晶欠陥評価技術に関して、
3件のご講演をいただきます。ご興味がございましたら、2月20日（金）までに参加登録をお願い致します。


　　　　　　　　　　記
GaNコンソーシアム 結晶・評価WG研究会

テーマ： 先端結晶欠陥評価技術

◆開催日時：2026年2月25日（水）10:55-15:30

◆開催形態：対面形式＋Zoomのハイブリッド
◆参加登録締め切り日：2026年2月20日(金)
◆会場：名古屋大学 研究所共同館Ⅱ 2Fホール
　　　　現地参加される方は、名古屋大学 研究所共同館Ⅱ２Fホールまでお越しください
　　　　（案内を添付しております）

◆対象者：GaNコンソーシアム 結晶・評価WG会員 
　※本研究会は秘密保持義務（守秘義務）がございます。
　　ご登録にあたっては秘密保持に関する同意が必要となります。
　　　　　
◆参加費：無料

◆講演内容（講演者敬称略）ーご講演50分、質疑10分を予定しています

　10:55-11:00　WG研究会の開催趣旨（WG主査）
　
　講演：3件

　1）11：00-12：00
　　　名古屋大学 准教授 　原田 俊太様
　　　「X線トポグラフィと偏光顕微鏡観察の統合解析によるSiC基板欠陥評価」

　（昼休憩）90分

　2）13：30-14：30
　　　名古屋大学 特任教授 　兼近 将一様 
　　　「放射光を用いたX線トポグラフィによるGaN基板中の貫通転位の評価」

　3）14：30-15：30
　　   大阪大学 教授　 酒井 朗様
         「AlGaN/GaN HEMT動作時に誘起される局所歪のnanoXRDオペランド解析」


※ 講演会後、現地参加者交えて懇親会を開催予定
　（17：30-19：30　名古屋大学近辺/当日ご案内いたします）
※講演会後17:00まで 会場ホールを質疑・待機・打ち合わせ場所としてご使用いただけます。
※講演概要等の詳細については、追って後日ご連絡いたします。


【問い合わせ先】（一社）GaNコンソーシアム事務局
                              E-MAIL: info@gan-conso.jp    
　　　　　　　　（電話　050-3625-7503 ）
                              担当：坪井、片桐、佐々木

 
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