「GaNコンソーシアム 結晶・評価WG・電子デバイスWG 研究会の開催について」

 

一般社団法人GaNコンソーシアム　電子デバイスWGの主査をしております星　真一と申します。
今回のWG研究会は、電子デバイスおよびそのエピ技術をテーマに、新田先生主査の結晶・評価WGと共催で開催します。
実用化されているGaN-HEMTに関する異種基板の違いのご講演や、今後の展開が期待されるAlN-HEMTについて、
昨年末のIEDMの内容含め、ご講演いただけることになりました。
電子デバイスの土台であるエピ技術についても伺えると思いますので、ご興味がございましたら、
2月10日（火）までに参加登録をお願い致します。
講演者の方には、講演後の懇親会にもご参加いただけると伺っています。
現地参加される方は、懇親会についてもご参加をよろしくお願いします。

　　　　　　　　　　　　記　
GaNコンソーシアム 結晶・評価WG・電子デバイスWG 研究会
テーマ： 電子デバイスおよびそのエピ技術
◆開催日時：2026年2月13日（金）14：00-17：15
◆開催形態：対面形式＋Zoomのハイブリッド
◆参加登録締め切り日：2026年2月10日(火)
◆会場：名古屋大学共同館II２Fホール
              現地参加される方は、名古屋大学 研究所共同館Ⅱ２Fホールまでお越しください
　　　　（案内を添付しております）
◆対象者：GaNコンソーシアム 結晶・評価WG、電子デバイスWGメンバー 
　　　　※本研究会は秘密保持義務（守秘義務）がございます。
　　　　　ご登録にあたっては秘密保持に関する同意が必要となります。
◆参加費：無料
◆講演内容（講演者敬称略）ー 　ご講演50分、質疑10分を予定しています


　14：00-14：05　WG研究会の開催趣旨（WG主査）
　講演：3件
　1）14：05-15：05　ルネサスエレクトロニクス株式会社　庄野　健様　
　　　　　　　　　　「高耐圧GaN HEMTの実用化における異種基板の使い分け」
　2）15：05-16：05　NTT物性科学基礎研究所　川崎　晟也様　
　　　　　　　　　　「AlN系分極ドープFETとその高周波動作」
　（休憩）10分
　3）16：15-17：15　旭化成　研究・開発本部　先端技術研究所　李　太起様 
　　　　　　　　　　　「Low-Resistance and Current-Collapse-Free MOVPE-Grown 
　　　　　　　　　　　Pseudomorphic AlN/GaN/AlN HEMTs on AlN Substrates」


※講演会後、現地参加者を交えての懇親会予定
（18：00-20：00　名古屋大学近辺で開催予定／当日ご案内いたします）


【問い合わせ先】（一社）GaNコンソーシアム事務局
                              E-MAIL: info@gan-conso.jp    
　　　　　　　　（電話　050-3625-7503 ）
                              担当：坪井、片桐、佐々木