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GaN研究コンソーシアム第一回研究会を開催しました。
- イベント
- 2016/12/14
GaN研究コンソーシアム第一回研究会
「Society5.0社会実現に貢献するGaN高周波デバイス」
GaN研究コンソーシアムは、産学官の各会員機関が組織の壁を越え共創するオープンイノベーションの場を構築し、我が国の持続的発展と各機関の成長に貢献することを理念としています。
これを踏まえて、パワーデバイス、光エネルギー、電波エネルギーに関する次世代半導体の革新的な知見をいち早く社会実装するため、会員を対象として、様々な用途への応用のためにデバイスに対して求められる要件を解明していくことを目的とした研究会を行うこととしました。
第一回研究会は、高周波通信応用の観点から、応用開発の方向性と、将来直面するであろう課題についてご紹介をいただきます。対応して、GaNデバイス側の開発状況について、開発の最前線の方からご紹介をいただき、応用が目指す方向性に沿ったデバイス開発の目標・あり方について議論いたします。
◇開催場所 国立大学法人 名古屋大学 ＥＳ総合館１階ＥＳ会議室 (MAP)
◇定員 70名
◇募集期間 2016年11月30日まで
◇参加費用 [GaN研究コンソーシアムの会員の機関] 無料
[GaN研究コンソーシアムの会員でない機関] １万円／人
研究会終了後、研究会の会場隣りにて懇親会を開催いたします。ぜひ、こちらもご参加ください。
◆懇親会参加費 3,000円
◆懇親会会場 研究会の会場隣り 「シェ ジロー」 (http://chezjiroud.jp/)
お申し込みの際は、
①参加者氏名
②所属機関
③職業(学生または役職)
④年齢
⑤連絡先(電話番号とメールアドレス)
⑥懇親会への出欠
を明記の上、GaN研究コンソーシアム事務局 gan-con@aip.nagoya-u.ac.jp まで、ご連絡願います。
GaN研究コンソーシアム第一回研究会詳細・プログラム