第110回研究会・特別公開シンポジウムのご案内

標記の件につきまして、以下のとおり開催されますので、皆様にご案内申し上げます（当コンソーシアムが協賛させていただいております）。

参加を希望される方は以下のHPからお申し込みください。
（学振162委員：（同伴者を含む）に関しては、別途学振事務局からお申し込みを受け付けますのでHPからの参加申し込みは不要です）。

定員に達したら締切りますのでお早目にお申し込みください。

※　学生の方は参加費がナイトライド基金からサポートされるため、無料になります。
※　40歳未満の研究者で参加費援助の希望者はIWUMD2017からサポートされます。

是非多くの皆様のご参加をお待ちしています。

http://jsps162.jpn.org/

http://jsps162.jpn.org/specialsymposium_2018.html


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【概要】
特別公開シンポジウム「紫外発光デバイスの最前線と将来展望」

◆日程　2018年9月27日（木）～9月28日（金）
◆会場　東京大学
◆参加費
　参加費：学振162会員（産業界会員の同伴者を含む）：無料
　　　　　学生：無料
　　　　　一般（学振162会員以外）：18,000円
　意見交換会参加費：3,000円

◆主催　
独立行政法人 日本学術振興会　ワイドギャップ半導体光・電子デバイス 第162委員会

◆協賛　
GaN研究コンソーシアム
(社)応用物理学会 結晶工学分科会・応用電子物性分科会

◆謝辞
謝辞: 本シンポジウムを開催するにあたり、ナイトライド基金、IWUMD2017
からのサポートを受けています。

◆世話人
平山　秀樹（理研）：主査
岩谷　素顕（名城大学）：特別事業幹事

◆お問い合わせ先
名城大学　岩谷素顕
e-mail iwaya@meijo-u.ac.jp