GaN研究コンソーシアム(SWG7)＆名古屋パワエレ塾共同開催研究会
「パワーエレクトロニクス・モデリング技術最新動向」

GaN研究コンソーシアム会員の皆様

日頃より大変お世話になっております。

GaN研究コンソーシアム研究計画WG・SWG7（実装・周辺技術）と名古屋パワエレ塾の共同開催にて下記のとおり研究会を開催します。パワーエレクトロニクス技術にご興味がある方は是非ご参加ください。

◆目的
　パワーエレクトロニクス分野における次の技術として、設計開発におけるフロントローディングの考え方を導入したモデルベース開発が脚光を浴びています。その視点は、対象となる応用システム全体へと拡大し、巨視的な視点から部材、要素技術開発を再考することが急務とされています。これまでは我が国の“ものづくり”において各要素、材料について各領域の視点での「良いモノ」を作れば商機を勝ち得ていた時代は終わり、開発の川下の要求に効率良く応えるための特化した設計開発による、設計現場での低コスト化が求められています。本研究会は、こういった視点での新たな取り組みを紹介し、皆様の今後の技術開発の方向性の一助とさせて頂くものです。

◆今回の研究会のテーマ
　パワーエレクトロニクス応用システムの開発におけるモデルベース開発の各事例を紹介します。まずはパワー半導体実装の最先端技術について基板技術、材料技術の視点から紹介していきます。さらにシステム開発の応用事例として、ハイブリッド車システムのモデリング技術について紹介します。さらにパワー半導体のモジュール実装技術におけるモデリング技術最前線について、２名のエンジニアの取り組みを紹介致します。

◇　開催日時　２０１８年２月１６日（金）１３：００～１７：３０
◇　開催場所　名古屋大学 ナショナルイノベーションコンプレックス（NIC）3階大会議室
◇　参加対象　パワーエレクトロニクス技術にご興味がある方
◇　募集期間　２０１８年１月末まで（応募者が定員に達した段階で募集を締め切ります）
◇　参加費用　[GaN研究コンソーシアムの会員の機関]　無料
　　　　　　　[名古屋パワエレ塾会員]　5千円／人
　　　　　　　[一般]　１万円／人

お申し込みの際は、
　①参加者氏名
　②所属機関
　③会員区分（GaN研究コンソーシアム会員、パワエレ塾会員、一般）
　④職業（役職）
　⑤連絡先(電話番号とメールアドレス)
を明記の上、GaN研究コンソーシアム事務局　gan-con@aip.nagoya-u.ac.jp　まで、ご連絡願います。

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