GaNコンソーシアムは、産学官の共創場での実践的教育を通して、高い専門性と俯瞰的な視点を兼備し、社会のための科学（Science for Society）を志向する、21世紀型の若手研究者・技術者の育成に努めることにしています。これを踏まえて、我が国のGaN研究開発の将来を担う優秀な人材を育成するため、毎年サマースクールを開講し、多数のご参加がございます。2025年度も引き続きまして、ハイブリット形式にてサマースクールを開講します。今回は、電子デバイス領域に関して、名古屋大学　堀田先生、九州大学 寺島先生、名古屋工業大学　南條先生に講義して頂きます。ご興味がございましたら、参加登録をお願い致します。

◆開催日2025年9月22日(月)　14:00-17:10　60分（講演50分、質疑10分）×3講義
◆開催方法　ハイブリッド開催　
会場：名古屋大学　ES総合館　ES会議室 、オンライン：Zoomウェビナー
◆講義タイトル(講演者敬称略)
①14:00-15:00「GaN中点欠陥の評価と点欠陥が電子デバイスへ与える影響」
　　　　　　　堀田　昌宏（名古屋大学）
②15:00-16:00「パワーデバイス（シリコン、化合物）全体の技術、アプリケーション」
　　　　　　　寺島　知秀（九州大学)　
　16:00－16:10　休憩
③16:10-17:10　「ヘテロエピタキシャル成長と2次元電子ガスが支えたAlGaN/GaN HEMTの進化」
　　　　　　　南條　拓真（名古屋工業大学)

◆対象者　　GaNコンソーシアムの会員である機関に所属する方（学生参加可）
◆募集人数　先着500名
◆募集期間　2025年9月18日(木)締切　※応募者が定員に達した場合、募集を締め切ります。
◆参加費　無料
◆参加申し込み方法　会員の方は会員専用ホームページの開催案内にあるURLからお申し込みください。

【問い合わせ先】　　    一般社団法人GaNコンソーシアム事務局
E-MAIL: info@gan-conso.jp    （電話　050-3625-7503 ）
　　　　　　　　　　　　担当：坪井、佐々木、片桐