GaNコンソーシアム特別講演会ご案内
 
◇ 日時：　2024年2月2日（金） 15:00～17:20
◇ 場所：　名古屋大学　オークマ工作機械工学館1F　オークマホール
愛知県名古屋市千種区不老町
名城線「名古屋大学駅」3番出口から徒歩約1分
 
　GaN、SiCに代表される化合物パワー半導体も社会実装が進みつつある。しかしながら化合物半導体はSiにはない課題があり、低コスト化、素子の使い方は課題の1つである。またGaNには独自の課題が存在することは認識しつつもSiCに類似する課題はあり、先行するSiCから学ぶところも大きいと考えている。当日はGaNの低コスト化技術と回路技術、またSiCの歴史から化合物パワー半導体が如何にして社会へ浸透していったかの話も伺う。
 
＜プログラム＞
14:30       　　 開場
15:00-15:05　開会の挨拶
15:05-15:35　名古屋大学 田中 敦之先生　「Laser slicing of GaN」
15:35-16:05　京都工芸繊維大学 古田 潤先生　 「パワーGaN HEMTとゲートドライバの単一集積化」
16:05₋16:15　休憩
16:15-17:15　Infineon Technologies, Vice President SiC, Dr. Peter Friedrichs
　　　　　　　「Infineon’s histories of SiC power devices　(仮)」
17:15-17:20　閉会の挨拶
17:20-17:30　移動
17:30-19:30　懇親会（名大 北部生協）
 
■参加受付: 以下のURLよりお申し込みください。締切1月26 日(木)。
https://docs.google.com/forms/d/e/1FAIpQLSdH_jFqjVJMNkfPq_mqZQrN_guM82MncMF7Ero5AeH5ab61yw/viewform?usp=pp_url
■参 加 費: 当日会場にてお支払いください。（現金払いのみ）
GaNコンソーシアム会員: 無料、GaNコンソーシアム非会員: 3,000円、学生: 無料
■懇親会費：3,000円
■感染症対策: 事前の検温にご協力頂き、発熱がある場合は当日のご参加はご遠慮下さい。
■問い合わせ先: GaNコンソーシアム事務局

あなたが所属している機関（企業・大学等）がGaNコンソーシアムの会員であるかどうかの確認は、以下のリンク先から調べることができます。 ご活用ください。      https://www.gan-conso.jp/about/memberlist.html
 

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